品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001276050
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R1K4C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K4C6AKMA1-ND
别名:SP000991120
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001467042
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R600P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R600P7SAKMA1-ND
别名:SP001499714
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPN70R1K5CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA1-ND
别名:SP001292872
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.7A(Tc) 25.7W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R950CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R950CEXKSA2-ND
别名:SP001217236
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001499700
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R600P7SATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名:SP001396806
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429484
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.5A(Tc) 24.9W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAN70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001682068
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 25.7W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R950CE
仓库库存编号:
IPA50R950CEIN-ND
别名:IPA50R950CEIN
IPA50R950CEXKSA1
SP000939328
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEBKMA1-ND
别名:IPU50R950CE
IPU50R950CE-ND
SP001022956
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MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
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