品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 360mA(Ta) 500mW(Tc) PG-SC-59
型号:
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR316PH6327XTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG16N10S461ATMA1
仓库库存编号:
IPG16N10S461ATMA1-ND
别名:SP000892972
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG16N10S461AATMA1
仓库库存编号:
IPG16N10S461AATMA1-ND
别名:SP001091952
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 360mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
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