品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLL024ZTRPBFCT-ND
别名:IRLL024ZTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024ZTR
仓库库存编号:
AUIRLL024ZTRTR-ND
别名:AUIRLL024ZTRTR
SP001517712
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024Z
仓库库存编号:
IRLL024Z-ND
别名:*IRLL024Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA
仓库库存编号:
IPF10N03LA-ND
别名:IPF10N03LAT
SP000014985
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA G
仓库库存编号:
IPF10N03LA G-ND
别名:IPF10N03LAGXT
SP000017609
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI11N03LA
仓库库存编号:
IPI11N03LA-ND
别名:IPI11N03LAX
SP000014988
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.9A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC119N03S G
仓库库存编号:
BSC119N03SGINCT-ND
别名:BSC119N03SG
BSC119N03SGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB G
仓库库存编号:
IPB13N03LBGINCT-ND
别名:IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
仓库库存编号:
AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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