品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS308PE H6327CT
BSS308PE H6327CT-ND
BSS308PEH6327XTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2803GTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU01N60C3
仓库库存编号:
SPU01N60C3IN-ND
别名:SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3BKMA1
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803PBFCT-ND
别名:*IRLML2803TRPBF
IRLML2803PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL308PEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL308PEH6327XTSA1-ND
别名:SP001101004
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TR
仓库库存编号:
IRLML2803CT-ND
别名:*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 300mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN01N60C3
仓库库存编号:
SPN01N60C3-ND
别名:SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS01N60C3
仓库库存编号:
SPS01N60C3-ND
别名:SP000235876
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL308PEL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL308PE L6327CT
BSL308PE L6327CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5nC @ 10V,
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