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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (4M x 4) 并联 30ns
型号:
MSM5117405F-60J3-7
仓库库存编号:
MSM5117405F-60J3-7-ND
别名:MSM5117405F60J37
规格:技术 DRAM,
无铅
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 30ns
型号:
MSM5118160F-60J3-7
仓库库存编号:
MSM5118160F-60J3-7-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 30ns 42-SOJ
型号:
MSM5118165F-60J3-7
仓库库存编号:
MSM5118165F-60J3-7-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 30ns 42-SOJ
型号:
MSM51V18165F-60J3-7
仓库库存编号:
MSM51V18165F-60J3-7-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (1M x 16) 并联 30ns 50-TSOP
型号:
MSM51V18165F-60T3
仓库库存编号:
MSM51V18165F-60T3-ND
别名:MSM51V18165F-60T3K-7
MSM51V18165F-60T3K-7-ND
MSM51V18165F-60T3KMT
MSM51V18165F-60T3KMT-ND
MSM51V18165F60T3
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18SJ-25:B
仓库库存编号:
557-1587-ND
别名:557-1587
MT49H16M18BM-25:B
MT49H16M18BM-25:B-ND
MT49H16M18BM-33:B
MT49H16M18BM-33:B-ND
MT49H16M18SJ-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18FM-25:B
仓库库存编号:
MT49H16M18FM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 533MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36BM-18:B
仓库库存编号:
MT49H16M36BM-18:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36BM-25:B
仓库库存编号:
MT49H16M36BM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 533MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36FM-18:B
仓库库存编号:
MT49H16M36FM-18:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36FM-25:B
仓库库存编号:
MT49H16M36FM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36FM-25E:B
仓库库存编号:
MT49H16M36FM-25E:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18BM-25E:B
仓库库存编号:
MT49H32M18BM-25E:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18FM-25:B
仓库库存编号:
MT49H32M18FM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 400MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M18FM-25E:B
仓库库存编号:
MT49H32M18FM-25E:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36BM-25:B
仓库库存编号:
MT49H8M36BM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36FM-25:B
仓库库存编号:
MT49H8M36FM-25:B-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 10ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093:A
仓库库存编号:
557-1549-ND
别名:557-1549
MT44K16M36RB-093
MT44K16M36RB093A
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (32M x 18) 并联 1067MHz 10ns 168-BGA
型号:
MT44K32M18RB-093:A
仓库库存编号:
557-1553-ND
别名:557-1553
MT44K32M18RB-093
MT44K32M18RB093A
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18BM-33
仓库库存编号:
MT49H16M18BM-33-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18BM-33 TR
仓库库存编号:
MT49H16M18BM-33 TR-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36BM-25:A
仓库库存编号:
MT49H16M36BM-25:A-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M36BM-25:A TR
仓库库存编号:
MT49H16M36BM-25:A TR-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 10ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093 IT:A TR
仓库库存编号:
MT44K16M36RB-093 IT:A TR-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 1.067GHZ FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 576Mb (16M x 36) 并联 1067MHz 10ns 168-BGA
型号:
MT44K16M36RB-093:A TR
仓库库存编号:
MT44K16M36RB-093:A TR-ND
规格:技术 DRAM,
无铅
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