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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-BGA(11x9)
型号:
S34ML01G200BHI900
仓库库存编号:
428-4246-ND
别名:428-4246
S34ML01G200BHI900-ND
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
S34ML01G100TFI500
仓库库存编号:
428-4243-ND
别名:428-4243
S34ML01G100TFI500-ND
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
S34ML01G100TFA000
仓库库存编号:
428-4241-ND
别名:428-4241
S34ML01G100TFA000-ND
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
S34ML04G200TFI900
仓库库存编号:
428-4268-ND
别名:428-4268
S34ML04G200TFI900-ND
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 256KBIT 25NS 32SOIC
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 25ns 32-SOIC
型号:
CY14E256LA-SZ25XI
仓库库存编号:
428-3622-5-ND
别名:428-3622-5
CY14E256LA-SZ25XI-ND
CY14E256LASZ25XI
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 32Kb (2K x 16) 并联 25ns 100-TQFP(14x14)
型号:
7133LA25PFGI
仓库库存编号:
800-3618-ND
别名:7133LA25PFGI-ND
800-3618
IDT7133LA25PFGI
IDT7133LA25PFGI-ND
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 25ns 67-VFBGA(6.5x8)
型号:
TC58BYG0S3HBAI6
仓库库存编号:
TC58BYG0S3HBAI6-ND
别名:TC58BYG0S3HBAI6JDH
TC58BYG0S3HBAI6YCJ
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG0S3HTA00
仓库库存编号:
TC58NVG0S3HTA00-ND
别名:TC58NVG0S3HTA00B4H
TC58NVG0S3HTA00J4H
TC58NVG0S3HTA00Y0J
TC58NVG0S3HTA00YCJ
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58BVG0S3HTA00
仓库库存编号:
TC58BVG0S3HTA00-ND
别名:TC58BVG0S3HTA00B4H
TC58BVG0S3HTA00Y0J
TC58BVG0S3HTA00YCJ
TC58BVG0S3HTA00YCL
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 25ns 63-TFBGA(9x11)
型号:
TC58BVG0S3HBAI4
仓库库存编号:
TC58BVG0S3HBAI4-ND
别名:TC58BVG0S3HBAI4JDH
TC58BVG0S3HBAI4YCL
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58BVG1S3HTA00
仓库库存编号:
TC58BVG1S3HTA00-ND
别名:TC58BVG1S3HTA00B4H
TC58BVG1S3HTA00YCJ
TC58BVG1S3HTA00YCL
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 63-TFBGA(9x11)
型号:
TC58NVG1S3HBAI4
仓库库存编号:
TC58NVG1S3HBAI4-ND
别名:TC58NVG1S3HBAI4JDH
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG1S3HTAI0
仓库库存编号:
TC58NVG1S3HTAI0-ND
别名:TC58NVG1S3HTAI0B4H
TC58NVG1S3HTAI0YCJ
TC58NVG1S3HTAIOB4H
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58BVG2S0HTA00
仓库库存编号:
TC58BVG2S0HTA00-ND
别名:TC58BVG2S0HTA00B4H
TC58BVG2S0HTA00YCJ
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG2S0HTA00
仓库库存编号:
TC58NVG2S0HTA00-ND
别名:TC58NVG2S0HTA00B4H
TC58NVG2S0HTA00Y0L
TC58NVG2S0HTA00YCJ
TC58NVG2SOHTA00B4H
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 63-TFBGA(9x11)
型号:
TC58BVG2S0HBAI4
仓库库存编号:
TC58BVG2S0HBAI4-ND
别名:ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 67-VFBGA(6.5x8)
型号:
TH58BYG2S3HBAI6
仓库库存编号:
TH58BYG2S3HBAI6-ND
别名:TH58BYG2S3HBAI6JDH
TH58BYG2S3HBAI6YCL
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58NVG2S3HTA00
仓库库存编号:
TH58NVG2S3HTA00-ND
别名:TH58NVG2S3HTA00B4H
TH58NVG2S3HTA00YCJ
TH58NVG2S3HTA00YCL
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58BVG2S3HTAI0
仓库库存编号:
TH58BVG2S3HTAI0-ND
别名:TH58BVG2S3HTAI0B4H
TH58BVG2S3HTAI0YCJ
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 72KBIT 25NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 72Kb (4K x 18) 并联 25ns 100-TQFP(14x14)
型号:
CY7C0241E-25AXC
仓库库存编号:
428-3066-ND
别名:428-3066
CY7C0241E25AXC
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
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Toshiba Semiconductor and Storage
16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58NVG4S0HTA20
仓库库存编号:
TH58NVG4S0HTA20-ND
别名:TH58NVG4S0HTA20YCJ
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 1MBIT 25NS 44TSOP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 25ns 44-TSOP II
型号:
CY14B101LA-ZS25XI
仓库库存编号:
CY14B101LA-ZS25XI-ND
别名:CY14B101LAZS25XI
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 144KBIT 25NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 144Kb (8K x 18) 并联 25ns 100-TQFP(14x14)
型号:
CY7C0251AV-25AC
仓库库存编号:
428-1160-ND
别名:428-1160
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP
详细描述:NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 25ns 44-TSOP II
型号:
CY14B104LA-ZS25XI
仓库库存编号:
CY14B104LA-ZS25XI-ND
别名:CY14B104LAZS25XI
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
详细描述:SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 256Kb (16K x 16) 并联 25ns 100-TQFP(14x14)
型号:
CY7C026AV-25AXC
仓库库存编号:
428-2096-ND
别名:428-2096
CY7C026AV-25AXC-ND
CY7C026AV25AXC
规格:写周期时间 - 字,页 25ns,
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