规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W988D6FBGX6I
仓库库存编号:
W988D6FBGX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX6E
仓库库存编号:
W948D2FBJX6E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6E
仓库库存编号:
W988D2FBJX6E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX7E
仓库库存编号:
W988D2FBJX7E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W948D2FBJX5I
仓库库存编号:
W948D2FBJX5I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 5.4ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W988D2FBJX6I
仓库库存编号:
W988D2FBJX6I-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W949D6DBHX5E TR
仓库库存编号:
W949D6DBHX5E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W949D6DBHX5I TR
仓库库存编号:
W949D6DBHX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 54-VFBGA(8x9)
型号:
W989D6DBGX6I TR
仓库库存编号:
W989D6DBGX6I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 63-VFBGA
型号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
FLASH MEMORY NAND
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 45ns 63-BGA(11x9)
型号:
S34MS01G204BHA013
仓库库存编号:
S34MS01G204BHA013-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 133MHZ 54BGA
详细描述:SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 6ns 54-TFBGA(8x8)
型号:
IS42VM16200D-75BLI-TR
仓库库存编号:
IS42VM16200D-75BLI-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W949D2DBJX5I TR
仓库库存编号:
W949D2DBJX5I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (16M x 32) 并联 5ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
W989D2DBJX6I TR
仓库库存编号:
W989D2DBJX6I TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 5ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
W949D6DBHX5E
仓库库存编号:
W949D6DBHX5E-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb (2M x 16) 并联 5.5ns 60-TFBGA(8x10)
型号:
IS43LR16200D-6BL-TR
仓库库存编号:
IS43LR16200D-6BL-TR-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
型号:
MT29F1G08ABBDAH4:D
仓库库存编号:
MT29F1G08ABBDAH4:D-ND
规格:电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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