规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 20A 175W Through Hole TO-3
型号:
JANTX2N6287
仓库库存编号:
1088-1027-ND
别名:1088-1027
1088-1027-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTX2N6384
仓库库存编号:
1086-21112-ND
别名:1086-21112
1086-21112-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 5W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N3715
仓库库存编号:
1086-20899-ND
别名:1086-20899
1086-20899-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 20A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 20A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTXV2N6283
仓库库存编号:
1086-21094-ND
别名:1086-21094
1086-21094-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 200A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
型号:
VS-GB100LP120N
仓库库存编号:
VS-GB100LP120N-ND
别名:VSGB100LP120N
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 650V 200A
详细描述:IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 100A 600W Chassis Mount Module
型号:
F3L200R12W2H3_B11
仓库库存编号:
F3L200R12W2H3_B11-ND
别名:SP001197126
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
搜索
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 25A
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 25A 160W Chassis Mount Module
型号:
F12-25R12KT4G
仓库库存编号:
F12-25R12KT4G-ND
别名:SP000415314
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTX2N6051
仓库库存编号:
1086-15533-ND
别名:1086-15533-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTX2N6059
仓库库存编号:
1086-21084-ND
别名:1086-21084
1086-21084-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 20A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 20A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTXV2N6286
仓库库存编号:
1086-21097-ND
别名:1086-21097
1086-21097-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTXV2N6383
仓库库存编号:
1086-21110-ND
别名:1086-21110
1086-21110-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTXV2N6384
仓库库存编号:
1086-21113-ND
别名:1086-21113
1086-21113-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTXV2N6385
仓库库存编号:
1086-21115-ND
别名:1086-21115
1086-21115-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Littelfuse Inc.
IGBT MOD 1200V 50A PKG H CRCT:X
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 75A 260W Chassis Mount Module
型号:
MG1250H-XN2MM
仓库库存编号:
F6702-ND
别名:F6702
MG1250H-XN2MM-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 650V 50A
详细描述:IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 70A 355W Chassis Mount Module
型号:
F4-50R12KS4_B11
仓库库存编号:
F4-50R12KS4_B11-ND
别名:SP000924500
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 20A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTX2N6284
仓库库存编号:
1086-15536-ND
别名:1086-15536-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES
详细描述:IGBT Module 2 Independent 1200V 300A 940W Chassis Mount D3
型号:
GSID150A120S3B1
仓库库存编号:
GSID150A120S3B1-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES
详细描述:IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1595W Chassis Mount D3
型号:
GSID200A120S3B1
仓库库存编号:
GSID200A120S3B1-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 1000A 2300W D4
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 1000A 2300W Chassis Mount D4
型号:
APTGT750U60D4G
仓库库存编号:
APTGT750U60D4G-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6051
仓库库存编号:
1086-21079-ND
别名:1086-21079
1086-21079-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6058
仓库库存编号:
1086-21082-ND
别名:1086-21082
1086-21082-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6059
仓库库存编号:
1086-21085-ND
别名:1086-21085
1086-21085-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
含铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 600V 75A
详细描述:IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 100A 500W Chassis Mount Module
型号:
F4-75R12KS4_B11
仓库库存编号:
F4-75R12KS4_B11-ND
别名:SP000724906
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
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Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES
详细描述:IGBT Module Single 1200V 275A 1035W Chassis Mount Module
型号:
GSID150A120S6A4
仓库库存编号:
GSID150A120S6A4-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
详细描述:IGBT Module Single 1200V 300A 1389W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号:
VS-GB150LH120N
仓库库存编号:
VS-GB150LH120N-ND
别名:VSGB150LH120N
规格:电流 - 集电极截止(最大值) 1mA,
无铅
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