规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120SK15G
仓库库存编号:
APTM120SK15G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120SK29TG
仓库库存编号:
APTM120SK29TG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 18A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK56T1G
仓库库存编号:
APTM120SK56T1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK68T1G
仓库库存编号:
APTM120SK68T1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 160A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10DAG
仓库库存编号:
APTM120U10DAG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 103A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM95FAG
仓库库存编号:
APTM120UM95FAG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N120P
仓库库存编号:
IXFV12N120P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 12A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N120PS
仓库库存编号:
IXFV12N120PS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 90A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY06N120P
仓库库存编号:
IXTY06N120P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 42A(Tc) 215W(Tc) TO-247-3
型号:
CMF20120D
仓库库存编号:
CMF20120D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2LLG
仓库库存编号:
APT12067B2LLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 17A(Tc) 460W(Tc) SOT-227
型号:
APT12067JLL
仓库库存编号:
APT12067JLL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 19A(Tc) 520W(Tc) SOT-227
型号:
APT12057JLL
仓库库存编号:
APT12057JLL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
APT25SM120B
仓库库存编号:
APT25SM120B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 50A(Tj) 313mW(Tj) 模具
型号:
CPMF-1200-S080B
仓库库存编号:
CPMF-1200-S080B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 28A(Tj) 202W(Tj) 模具
型号:
CPMF-1200-S160B
仓库库存编号:
CPMF-1200-S160B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
JFET N-CHAN 35A TO247-3
详细描述:JFET N-Channel 35A 238W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IJW120R070T1FKSA1
仓库库存编号:
IJW120R070T1FKSA1-ND
别名:SP000871652
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
JFET N-CHAN 26A TO247-3
详细描述:JFET N-Channel 26A 190W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IJW120R100T1FKSA1
仓库库存编号:
IJW120R100T1FKSA1-ND
别名:SP000871656
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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