规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 87A(Tc) 625W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS90N65E-E3
仓库库存编号:
SIHS90N65E-E3CT-ND
别名:SIHS90N65E-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) 330W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR102N65X2
仓库库存编号:
IXTR102N65X2-ND
别名:632316
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STWA57N65M5
仓库库存编号:
497-13604-5-ND
别名:497-13604-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW54NM65ND
仓库库存编号:
497-12370-ND
别名:497-12370
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STWA88N65M5
仓库库存编号:
497-13793-5-ND
别名:497-13793-5
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
TPH3205WSBQA
仓库库存编号:
TPH3205WSBQA-ND
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429758
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9HN65M2
仓库库存编号:
497-16036-1-ND
别名:497-16036-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 620mW(Ta), 77W(Tc) DPAK
型号:
CDM4-650 TR13
仓库库存编号:
CDM4-650 TR13CT-ND
别名:CDM4-650 TR13CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P65W,RQ
仓库库存编号:
TK6P65WRQCT-ND
别名:TK6P65WRQCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 109W(Tc) DPAK
型号:
STD10N60DM2
仓库库存编号:
497-16924-1-ND
别名:497-16924-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD11N60DM2
仓库库存编号:
497-16925-1-ND
别名:497-16925-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD7S65
仓库库存编号:
785-1537-1-ND
别名:785-1537-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 7A 650V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1.12W(Ta), 140W(Tc) DPAK
型号:
CDM7-650 TR13
仓库库存编号:
CDM7-650 TR13CT-ND
别名:CDM7-650 TR13CT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD6N65M2
仓库库存编号:
497-15049-1-ND
别名:497-15049-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD12N65M2
仓库库存编号:
497-15458-1-ND
别名:497-15458-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 52W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL13N65M2
仓库库存编号:
497-15476-1-ND
别名:497-15476-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 57W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL18N65M2
仓库库存编号:
497-15477-1-ND
别名:497-15477-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252-3
型号:
DN3765K4-G
仓库库存编号:
DN3765K4-GCT-ND
别名:DN3765K4-GCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号:
TK14G65W5RQCT-ND
别名:TK14G65W5RQCT
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD16N65M2
仓库库存编号:
497-15258-1-ND
别名:497-15258-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000216318
SPA11N65C3
SPA11N65C3IN
SPA11N65C3IN-ND
SPA11N65C3XK
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB8NM60T4
仓库库存编号:
497-5386-1-ND
别名:497-5386-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD11NM65N
仓库库存编号:
497-13352-1-ND
别名:497-13352-1
规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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