规格:漏源电压(Vdss) 900V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(297)
分立半导体产品
(297)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Diodes Incorporated (2)
Global Power Technologies Group (13)
Infineon Technologies (24)
IXYS (51)
Microsemi Corporation (18)
Fairchild/ON Semiconductor (64)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (6)
Sanken (1)
STMicroelectronics (50)
Taiwan Semiconductor Corporation (12)
Toshiba Semiconductor and Storage (10)
Vishay Siliconix (27)
Cree/Wolfspeed (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 26A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N90
仓库库存编号:
IXFN26N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP4N90C
仓库库存编号:
FQP4N90C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90C
仓库库存编号:
FQPF4N90C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20SPBF
仓库库存编号:
IRFBF20SPBF-ND
别名:*IRFBF20SPBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP6N90C
仓库库存编号:
FQP6N90C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N90C
仓库库存编号:
FQPF6N90C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A90E,S4X
仓库库存编号:
TK7A90ES4X-ND
别名:TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 68W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N90CT
仓库库存编号:
FQPF9N90CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A90E,S4X
仓库库存编号:
TK9A90ES4X-ND
别名:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20LPBF
仓库库存编号:
IRFBF20LPBF-ND
别名:*IRFBF20LPBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK7J90E,S1E
仓库库存编号:
TK7J90ES1E-ND
别名:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N90P
仓库库存编号:
IXFH18N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N90P
仓库库存编号:
IXFT24N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N90P
仓库库存编号:
IXFH24N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 390W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT36N90BC3G
仓库库存编号:
APT36N90BC3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP4N90K5
仓库库存编号:
497-17070-ND
别名:497-17070
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4N90K5
仓库库存编号:
497-17071-ND
别名:497-17071
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K0C3
仓库库存编号:
IPA90R1K0C3-ND
别名:IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU6N90K5
仓库库存编号:
497-17076-ND
别名:497-17076
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP6N90K5
仓库库存编号:
497-17074-ND
别名:497-17074
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 TO-220FP
型号:
STF6N90K5
仓库库存编号:
497-17073-ND
别名:497-17073
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N90K5
仓库库存编号:
497-17075-ND
别名:497-17075
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R800C3
仓库库存编号:
IPW90R800C3-ND
别名:IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号