规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DDA12T1G
仓库库存编号:
APTC90DDA12T1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
型号:
APTC90DSK12T1G
仓库库存编号:
APTC90DSK12T1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
型号:
APTC90H12T2G
仓库库存编号:
APTC90H12T2G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M004A090FH
仓库库存编号:
GP1M004A090FH-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 123W(Tc) TO-220
型号:
GP1M004A090H
仓库库存编号:
GP1M004A090H-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A090H
仓库库存编号:
GP1M009A090H-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 89W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M009A090FG
仓库库存编号:
GP2M009A090FG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A090C
仓库库存编号:
1560-1157-1-ND
别名:1560-1157-1
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A090PH
仓库库存编号:
1560-1158-5-ND
别名:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M007A090FH
仓库库存编号:
1560-1164-5-ND
别名:1560-1164-1
1560-1164-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M007A090H
仓库库存编号:
1560-1165-5-ND
别名:1560-1165-1
1560-1165-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A090FH
仓库库存编号:
1560-1173-5-ND
别名:1560-1173-1
1560-1173-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M011A090NG
仓库库存编号:
1560-1209-5-ND
别名:1560-1209-1
1560-1209-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
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