规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TF
仓库库存编号:
FQD2N90TFCT-ND
别名:FQD2N90TFCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N90_F109
仓库库存编号:
FQA6N90_F109-ND
别名:FQA6N90-F109
FQA6N90-F109-ND
Q3402555
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 250mA(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IXCP01N90E
仓库库存编号:
IXCP01N90E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 250mA(Tc) 40W(Tc) TO-252
型号:
IXCY01N90E
仓库库存编号:
IXCY01N90E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 125W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK2719(F)
仓库库存编号:
2SK2719(F)-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 85W(Tc) TO-3P(N)IS
型号:
2SK2847(F)
仓库库存编号:
2SK2847(F)-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3565(Q,M)
仓库库存编号:
2SK3565QM-ND
别名:2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 185W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA5N90_F109
仓库库存编号:
FQA5N90_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 210W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90M_F109
仓库库存编号:
FQA7N90M_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90_F109
仓库库存编号:
FQA7N90_F109-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Tc) 68W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N90C
仓库库存编号:
FQPF9N90C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N90CT
仓库库存编号:
FQPF6N90CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90_NL
仓库库存编号:
FQPF3N90_NL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 1A DP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1A(Ta) 40W(Tc) DP
型号:
2SK2845(TE16L1,Q)
仓库库存编号:
2SK2845(TE16L1,Q)-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 43A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN52N90P
仓库库存编号:
IXFN52N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N90P
仓库库存编号:
IXFV12N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV18N90P
仓库库存编号:
IXFV18N90P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N90PS
仓库库存编号:
IXFV12N90PS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV18N90PS
仓库库存编号:
IXFV18N90PS-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4210
仓库库存编号:
2SK4210-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.1A(Ta) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4001
仓库库存编号:
BFL4001-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.5A(Ta) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4026
仓库库存编号:
BFL4026-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
AOK10N90
仓库库存编号:
AOK10N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10N90
仓库库存编号:
AOTF10N90-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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