规格:漏源电压(Vdss) 40V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-09L-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR470DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-15-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-15-E3CT-ND
别名:SUD50P04-15-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7790DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7790DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7790DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18509Q5BT
仓库库存编号:
296-37962-1-ND
别名:296-37962-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4LLF5
仓库库存编号:
497-10879-1-ND
别名:497-10879-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8441
仓库库存编号:
FDB8441CT-ND
别名:FDB8441CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Ta) 模具
型号:
EPC2015C
仓库库存编号:
917-1083-1-ND
别名:917-1083-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8004
仓库库存编号:
917-1072-1-ND
别名:917-1072-1
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P04-04L-E3
仓库库存编号:
SUM110P04-04L-E3CT-ND
别名:SUM110P04-04L-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
STP200NF04
仓库库存编号:
497-3524-5-ND
别名:497-3524-5
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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IXYS
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
详细描述:底座安装 N 沟道 660A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN660N04T4
仓库库存编号:
IXTN660N04T4-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600A(Tc) 940W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN600N04T2
仓库库存编号:
IXTN600N04T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K339R,LF
仓库库存编号:
SSM3K339RLFCT-ND
别名:SSM3K339RLFCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 40V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV250EPEAR
仓库库存编号:
1727-2303-1-ND
别名:1727-2303-1
568-12589-1
568-12589-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4036LK3-13
仓库库存编号:
DMN4036LK3-13DICT-ND
别名:DMN4036LK3-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.4A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD5838NLR2G
仓库库存编号:
NTMD5838NLR2GOSCT-ND
别名:NTMD5838NLR2GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2389ES-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 74W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R3-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4271-1-ND
别名:1727-4271-1
568-4903-1
568-4903-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ097N04LS G
仓库库存编号:
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名:BSZ097N04LSGINCT
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),81A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC054N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC054N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GCT-ND
BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 40V,
无铅
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