规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(324)
分立半导体产品
(324)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (3)
Diodes Incorporated (5)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (78)
IXYS (16)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (20)
ON Semiconductor (4)
Renesas Electronics America (4)
STMicroelectronics (79)
Taiwan Semiconductor Corporation (26)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
Transphorm (2)
Vishay Siliconix (73)
Cree/Wolfspeed (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 3A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ6N150
仓库库存编号:
IXTJ6N150-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO276
详细描述:表面贴装 650V 4A(Tc)(165°C) 125W(Tc) TO-276
型号:
2N7636-GA
仓库库存编号:
1242-1147-ND
别名:1242-1147
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号:
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名:SP000652618
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名:SP000840196
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840200
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名:SP001475652
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P405AKSA1-ND
别名:SP000652620
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
SP000427250
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840198
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名:BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227052
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB12N50C3
仓库库存编号:
SPB12N50C3INCT-ND
别名:SPB12N50C3INCT
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 76A(Tc) 125W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7787PBF
仓库库存编号:
IRFSL7787PBF-ND
别名:SP001576372
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB100
仓库库存编号:
497-2647-5-ND
别名:497-2647-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
含铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号