规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY32P05T
仓库库存编号:
IXTY32P05T-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ456EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ456EP-T1_GE3-ND
别名:SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY18P10T
仓库库存编号:
IXTY18P10T-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2500V 200mA(Tc) 83W(Tc) TO-263AB
型号:
IXTA02N250HV
仓库库存编号:
IXTA02N250HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 68A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7787TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7787TRPBFCT-ND
别名:IRFH7787TRPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU80R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001593928
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08N50C3
仓库库存编号:
SPD08N50C3INCT-ND
别名:SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名:SP001117736
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 83W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名:SP000895214
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680984
SPI08N50C3
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3IN-ND
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名:IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA2
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA2-ND
别名:IPI50R399CP
IPI50R399CP-ND
SP001109552
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R380C6XKSA1-ND
别名:IPP65R380C6
IPP65R380C6-ND
SP000785082
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R380C6XKSA1-ND
别名:IPI65R380C6
IPI65R380C6-ND
SP000785080
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680976
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R385CPXKSA1-ND
别名:IPI60R385CP
IPI60R385CP-ND
IPI60R385CPAKSA1
IPI60R385CPX
IPI60R385CPXK
SP000103250
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R385CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R385CPXKSA1-ND
别名:IPP60R385CP
IPP60R385CP-ND
IPP60R385CPAKSA1
IPP60R385CPX
IPP60R385CPXK
SP000082281
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LAGXK
仓库库存编号:
IPU06N03LAGXK-ND
别名:IPU06N03LA
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN
IPU06N03LAGIN-ND
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGXTIN-ND
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-ND
SP000017594
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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