规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 24A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA24P085T
仓库库存编号:
IXTA24P085T-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 65V 28A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 28A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP28P065T
仓库库存编号:
IXTP28P065T-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017058
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP06N80C3
仓库库存编号:
SPP06N80C3IN-ND
别名:SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 83W(Tc) TO-262S(I2PAK)
型号:
TSM70N600ACL X0G
仓库库存编号:
TSM70N600ACL X0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681038
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN
SPP08N50C3IN-ND
SPP08N50C3X
SPP08N50C3X-ND
SPP08N50C3XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380E6XKSA1-ND
别名:IPP60R380E6
IPP60R380E6-ND
SP000795310
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380C6
仓库库存编号:
IPP60R380C6-ND
别名:IPP60R380C6XKSA1
SP000645062
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380E6
仓库库存编号:
IPP65R380E6-ND
别名:IPP65R380E6XKSA1
SP000795280
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 83W(Tc) ITO-220
型号:
TSM70N600CI C0G
仓库库存编号:
TSM70N600CI C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 83W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0120100J
仓库库存编号:
C3M0120100J-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) I2PAK
型号:
FCI7N60
仓库库存编号:
FCI7N60-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP7N60
仓库库存编号:
FCP7N60-ND
别名:FCP7N60_NL
FCP7N60_NL-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名:IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPXKSA1-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名:SP000680738
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R380C6
仓库库存编号:
IPB60R380C6CT-ND
别名:IPB60R380C6CT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N60ZT4GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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