规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 240V 200mA(Ta) 750mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP4424ASTOB
仓库库存编号:
ZVP4424ASTOB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) I-Pak
型号:
FQU4N25TU
仓库库存编号:
FQU4N25TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N25
仓库库存编号:
FQP4N25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N25
仓库库存编号:
FQPF4N25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N25TU
仓库库存编号:
FQI4N25TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N25TM
仓库库存编号:
FQB4N25TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 1.6W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3730C
仓库库存编号:
CPC3730C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113
仓库库存编号:
IRFD113-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名:SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3
仓库库存编号:
SPN02N60C3-ND
别名:SP000101878
SPN02N60C3XT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号:
SPN02N60C3 E6433-ND
别名:SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS02N60C3
仓库库存编号:
SPS02N60C3-ND
别名:SP000235878
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V,
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