规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8113(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8113(TE12L,Q)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8005-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8005-HTE85LFCT-ND
别名:TPCP8005-HTE85LFCT
TPCP8005HTE85LF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4119NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4119NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4119NT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4120NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4120NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4120NT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4121NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4121NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4121NT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 930mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4107NR2G
仓库库存编号:
NTMS4107NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4107NR2GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7860ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7860ADP-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4860DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4860DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4888DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4888DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7491DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7491DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7840BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7840BDP-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7860ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7860ADP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7860DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7860DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Ta) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4037
仓库库存编号:
BFL4037-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 11A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1431-TL-E
仓库库存编号:
SFT1431-TL-E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8126,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8126LQ(CM-ND
别名:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 700mW(Ta),17W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8066-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8066-HLQ(S-ND
别名:TPCC8066-HLQ(S
TPCC8066HLQS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 11A TP
详细描述:通孔 N 沟道 35V 11A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP
型号:
SFT1431-E
仓库库存编号:
SFT1431-E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7860DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7860DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7860DP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4860DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4860DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4860DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4888DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4888DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4888DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6013DPE-00#J3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6013DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6013DPP-E0#T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6013DPE-00#J3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 11A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4437L
仓库库存编号:
AO4437L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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