规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS110N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS110N03FU6TB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7384DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7384DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7840BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7840BDP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7384DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7384DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7384DP-T1-E3TR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 模具
型号:
EPC2016
仓库库存编号:
917-1027-1-ND
别名:917-1027-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A45D(STA4QM)-ND
别名:TK11A45D(STA4QM)
TK11A45DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 75W(Tc) LPTS
型号:
R5011ANJTL
仓库库存编号:
R5011ANJTL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名:TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A60D(STA4QM)-ND
别名:TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS110N03TB
仓库库存编号:
RSS110N03TBCT-ND
别名:RSS110N03TBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR4420A
仓库库存编号:
FDR4420ACT-ND
别名:FDR4420ACT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6675A
仓库库存编号:
FDS6675A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 11A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR842P
仓库库存编号:
FDR842PCT-ND
别名:FDR842PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.1W(Ta) 18-BGA(2.5x4)
型号:
FDZ7296
仓库库存编号:
FDZ7296CT-ND
别名:FDZ7296CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7344DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7344DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7344DP-T1-E3CT
SI7344DPT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7491DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7491DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7491DP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RRS110N03TB1
仓库库存编号:
RRS110N03TB1CT-ND
别名:RRS110N03TB1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4433
仓库库存编号:
785-1029-1-ND
别名:785-1029-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 11A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4437
仓库库存编号:
785-1031-2-ND
别名:785-1031-2
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8014(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8014(TE12L,Q,M)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8021-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8031-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8031-H(TE12LQM)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8111(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8111(TE12L,Q,M)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),
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