规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) CPT3
型号:
R6006ANDTL
仓库库存编号:
R6006ANDTLCT-ND
别名:R6006ANDTLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6006ANX
仓库库存编号:
R6006ANX-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Tc) 5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5457DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5457DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5457DC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD6N62E-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N62E-GE3-ND
别名:SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGTR-ND
别名:TSM80N950CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGCT-ND
别名:TSM80N950CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM80N950CP ROG
仓库库存编号:
TSM80N950CP ROGDKR-ND
别名:TSM80N950CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 6A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB7N52K3
仓库库存编号:
497-10023-1-ND
别名:497-10023-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 75W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FCU850N80Z
仓库库存编号:
FCU850N80Z-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI7N80K5
仓库库存编号:
497-14557-5-ND
别名:497-14557-5
STFI7N80K5-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-251
型号:
STU8N80K5
仓库库存编号:
497-13658-5-ND
别名:497-13658-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP8N80K5
仓库库存编号:
497-13655-5-ND
别名:497-13655-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU7N80K5
仓库库存编号:
497-13656-5-ND
别名:497-13656-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP10N105K5
仓库库存编号:
497-15272-5-ND
别名:497-15272-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10N105K5
仓库库存编号:
497-15266-5-ND
别名:497-15266-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT6N100F
仓库库存编号:
IXFT6N100F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.2W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333DDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5468DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5468DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5468DC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
SI2333-TP
仓库库存编号:
SI2333-TPMSCT-ND
别名:SI2333-TPMSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3433CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3433CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3433CDV-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2342DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2342DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2342DS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5440DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5440DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5440DC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4485DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4485DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4485DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5424DC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 73W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP6N40C
仓库库存编号:
FQP6N40C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc),
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