规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(46)
分立半导体产品
(46)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Microchip Technology (4)
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (6)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (14)
Texas Instruments (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (6)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 630mW(Ta) SC-70-6
型号:
AO7411
仓库库存编号:
785-1089-2-ND
别名:785-1089-2
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SCH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1436-TL-H
仓库库存编号:
SCH1436-TL-H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 1.8A 60V CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 1.2W(Ta) 3-CPH
型号:
NVC3S5A51PLZT1G
仓库库存编号:
NVC3S5A51PLZT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94051YM4-TR
仓库库存编号:
MIC94051YM4-TR-ND
别名:MIC94051YM4 TR
MIC94051YM4 TR-ND
MIC94051YM4TR
MIC94051YM4TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8012-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8012-HQDKR-ND
别名:TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN361AN
仓库库存编号:
FDN361AN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A01FTC
仓库库存编号:
ZXMN3A01FTC-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 6V 1.8A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94050BM4 TR
仓库库存编号:
MIC94050BM4 TR-ND
别名:MIC94050BM4TR
MIC94050BM4TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
含铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6V 1.8A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94051BM4 TR
仓库库存编号:
MIC94051BM4 TR-ND
别名:MIC94051BM4TR
MIC94051BM4TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.8A(Ta) 510mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3441PT1G
仓库库存编号:
NTGS3441PT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
SFM9014TF
仓库库存编号:
SFM9014TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 300mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4160NT1G
仓库库存编号:
NTJS4160NT1GOSCT-ND
别名:NTJS4160NT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.8A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6J53FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6J53FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6J53FE(TE85LF)CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.8A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J108TU(TE85L)
仓库库存编号:
SSM3J108TU(TE85L)-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.8A(Ta) 450mW(Ta) 4-AphaDFN(0.97x0.97)
型号:
AOC2403
仓库库存编号:
785-1474-1-ND
别名:785-1474-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.8A(Ta) 275mW(Ta),1.785W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF63UN,115
仓库库存编号:
568-10785-1-ND
别名:568-10785-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.8A(Ta) 800mW(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PMT200EN,135
仓库库存编号:
568-10826-1-ND
别名:568-10826-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-H
仓库库存编号:
CPH3351-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-HOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327T
仓库库存编号:
BSP295XTINCT-ND
别名:BSP295XTINCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.8A(Ta),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号