规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(97)
分立半导体产品
(97)
筛选品牌
GeneSiC Semiconductor (2)
Infineon Technologies (53)
IXYS (23)
Microsemi Corporation (1)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
Renesas Electronics America (4)
STMicroelectronics (10)
Taiwan Semiconductor Corporation (1)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2903ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF2903ZSTRL-ND
别名:SP001521122
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRL1404STRL
仓库库存编号:
AUIRL1404STRL-ND
别名:SP001522830
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF3805
仓库库存编号:
AUIRF3805-ND
别名:SP001515808
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF2903ZL
仓库库存编号:
AUIRF2903ZL-ND
别名:SP001520876
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404
仓库库存编号:
AUIRF1404-ND
别名:SP001522606
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 160A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2903Z
仓库库存编号:
AUIRF2903Z-ND
别名:SP001519238
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF3805S-7TRL
仓库库存编号:
AUIRF3805S-7TRL-ND
别名:SP001516538
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF3805L
仓库库存编号:
AUIRF3805L-ND
别名:SP001522082
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF3805L-7P
仓库库存编号:
AUIRF3805L-7P-ND
别名:SP001515798
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LT4
仓库库存编号:
497-3251-1-ND
别名:497-3251-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB160NF3LLT4
仓库库存编号:
STB160NF3LLT4-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LAT4
仓库库存编号:
STV160NF02LAT4-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF03LAT4
仓库库存编号:
STV160NF03LAT4-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA160N075T
仓库库存编号:
IXTA160N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA160N075T7
仓库库存编号:
IXTA160N075T7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA160N085T
仓库库存编号:
IXTA160N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF280N055T
仓库库存编号:
IXTF280N055T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH160N075T
仓库库存编号:
IXTH160N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N075T
仓库库存编号:
IXTP160N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N085T
仓库库存编号:
IXTP160N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ160N075T
仓库库存编号:
IXTQ160N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 160A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ160N085T
仓库库存编号:
IXTQ160N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 160A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10DAG
仓库库存编号:
APTM120U10DAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXUC160N075
仓库库存编号:
IXUC160N075-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 160A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T
仓库库存编号:
IXFH160N15T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 160A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号