规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(293)
分立半导体产品
(293)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (35)
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (1)
Global Power Technologies Group (3)
Infineon Technologies (50)
IXYS (6)
Microsemi Corporation (7)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (28)
ON Semiconductor (6)
Rohm Semiconductor (6)
STMicroelectronics (75)
Taiwan Semiconductor Corporation (22)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (45)
Cree/Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 36W(Tc) DPAK
型号:
BUK72150-55A,118
仓库库存编号:
1727-7151-1-ND
别名:1727-7151-1
568-9634-1
568-9634-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N60M2
仓库库存编号:
497-13832-5-ND
别名:497-13832-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50APBF
仓库库存编号:
IRFS11N50APBF-ND
别名:*IRFS11N50APBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24SPBF-ND
别名:IRF9Z24SPBFCT
IRF9Z24SPBFCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11N50CF
仓库库存编号:
FQPF11N50CF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S65L
仓库库存编号:
785-1517-5-ND
别名:AOTF11S65L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF15N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15885-5-ND
别名:497-15885-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N80C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N80C3XKSA1-ND
别名:SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N80C3
仓库库存编号:
SPW11N80C3IN-ND
别名:SP000013703
SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF400N80Z
仓库库存编号:
FCPF400N80Z-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF13N60DM2
仓库库存编号:
497-16961-ND
别名:497-16961
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 500 V, 0.299 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N50DM2
仓库库存编号:
497-16346-5-ND
别名:497-16346-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STFH13N60M2
仓库库存编号:
497-16594-5-ND
别名:497-16594-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R225C7XKSA1-ND
别名:SP000929432
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216312
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6011ENX
仓库库存编号:
R6011ENX-ND
别名:R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50PBF
仓库库存编号:
IRFPC50PBF-ND
别名:*IRFPC50PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 53W(Tc) TO-220FM
型号:
R6011KNX
仓库库存编号:
R6011KNX-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
CDM22011-600LRFP SL
仓库库存编号:
CDM22011-600LRFP SL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP13N60M2
仓库库存编号:
497-13842-5-ND
别名:497-13842-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) ITO-220
型号:
TSM70N380CI C0G
仓库库存编号:
TSM70N380CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU16N65M2
仓库库存编号:
497-15248-5-ND
别名:497-15248-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP16N65M2
仓库库存编号:
497-15275-5-ND
别名:497-15275-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N65M2
仓库库存编号:
497-15269-5-ND
别名:497-15269-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号