规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 312.5W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA35N60
仓库库存编号:
FCA35N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC350N20NSFDATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NF10
仓库库存编号:
497-7520-5-ND
别名:497-7520-5
STP30NF10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 93W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75321P3
仓库库存编号:
HUF75321P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4510GPBF
仓库库存编号:
IRFI4510GPBF-ND
别名:SP001566752
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 379W(Tc) TO-247
型号:
R6035KNZ1C9
仓库库存编号:
R6035KNZ1C9-ND
别名:R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM60N
仓库库存编号:
497-8460-5-ND
别名:497-8460-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS452DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF06T4
仓库库存编号:
497-3159-1-ND
别名:497-3159-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF10T4
仓库库存编号:
497-6550-1-ND
别名:497-6550-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB42AN15A0_F085
仓库库存编号:
FDB42AN15A0_F085CT-ND
别名:FDB42AN15A0_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 85W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7635-55A,118
仓库库存编号:
1727-7170-1-ND
别名:1727-7170-1
568-9655-1
568-9655-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD35P6LLF6
仓库库存编号:
497-15462-1-ND
别名:497-15462-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB45N65M5
仓库库存编号:
497-12940-1-ND
别名:497-12940-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7617DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7617DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7617DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS434DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS434DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS434DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7613DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7613DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7613DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NF06LT4
仓库库存编号:
497-4101-1-ND
别名:497-4101-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP45N65M5
仓库库存编号:
497-12937-5-ND
别名:497-12937-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR410DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR410DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR410DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113.5W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065100J
仓库库存编号:
C3M0065100J-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7114ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7114ADN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7143DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7143DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7143DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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