规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2.5A(Tc) 55W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N40
仓库库存编号:
FQP3N40-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2.5A(Tc) 3.13W(Ta),55W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N40TU
仓库库存编号:
FQI3N40TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2.5A(Tc) 3.13W(Ta),55W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N40TM
仓库库存编号:
FQB3N40TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90
仓库库存编号:
FQPF4N90-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N50CTF
仓库库存编号:
FQD3N50CTF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N50CTM
仓库库存编号:
FQD3N50CTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 83W(Tc) TO-220
型号:
AOT3N60
仓库库存编号:
785-1186-5-ND
别名:785-1186-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2361EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2361EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2361EES-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6802
仓库库存编号:
JAN2N6802-ND
别名:JAN2N6802-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6802U
仓库库存编号:
JAN2N6802U-ND
别名:JAN2N6802U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTX2N6802
仓库库存编号:
JANTX2N6802-ND
别名:JANTX2N6802-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6802U
仓库库存编号:
JANTX2N6802U-ND
别名:JANTX2N6802U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6802
仓库库存编号:
JANTXV2N6802-ND
别名:JANTXV2N6802-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6802U
仓库库存编号:
JANTXV2N6802U-ND
别名:JANTXV2N6802U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6802
仓库库存编号:
2N6802-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6802U
仓库库存编号:
2N6802U-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A050CG
仓库库存编号:
GP1M003A050CG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52.1W(Tc) TO-220
型号:
GP1M003A050HG
仓库库存编号:
GP1M003A050HG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A050PG
仓库库存编号:
GP1M003A050PG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A050FG
仓库库存编号:
1560-1154-5-ND
别名:1560-1154-1
1560-1154-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A090C
仓库库存编号:
1560-1157-1-ND
别名:1560-1157-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A090PH
仓库库存编号:
1560-1158-5-ND
别名:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N60_001
仓库库存编号:
AOU3N60_001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.5A(Tc) 1.6W(Ta),2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7202TR
仓库库存编号:
IRF7202CT-ND
别名:IRF7202
IRF7202CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5A(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223
型号:
PHT2NQ10T,135
仓库库存编号:
PHT2NQ10T,135-ND
别名:934056839135
PHT2NQ10T /T3
PHT2NQ10T /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
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