规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 39W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM1NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM1NB60CP ROGDKR-ND
别名:TSM1NB60CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 39W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM1NB60CH C5G
仓库库存编号:
TSM1NB60CH C5G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N80P
仓库库存编号:
IXTP1N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N100P
仓库库存编号:
IXTY1N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 42W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N80P
仓库库存编号:
IXTY1N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100P
仓库库存编号:
IXTA1N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100P
仓库库存编号:
IXTP1N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N120P
仓库库存编号:
IXTY1N120P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N120P
仓库库存编号:
IXTP1N120P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 63W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N120P
仓库库存编号:
IXTA1N120P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1700V 1A(Tc) 290W(Tc) TO-263
型号:
IXTA1N170DHV
仓库库存编号:
IXTA1N170DHV-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tc) 2.9W(Tc) SOT-223
型号:
STN1N20
仓库库存编号:
497-3176-1-ND
别名:497-3176-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
详细描述:通孔 N 沟道 200V 1A(Tc) 3.1W(Ta) TO-92L
型号:
IRFNL210BTA_FP001
仓库库存编号:
IRFNL210BTA_FP001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60CTF
仓库库存编号:
FQD1N60CTF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N80TF
仓库库存编号:
FQD1N80TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TF
仓库库存编号:
FQD1N60TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60TU
仓库库存编号:
FQU1N60TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TM
仓库库存编号:
FQD1N60TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 4000V 1A(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N400
仓库库存编号:
IXTF1N400-ND
别名:Q5597315
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Tc) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF290XN,115
仓库库存编号:
568-6870-1-ND
别名:568-6870-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc),
无铅
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