规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4C050APTR
仓库库存编号:
RF4C050APCT-ND
别名:RF4C050APTRCT
RF4C050APTRCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Tc) HUML2020L8
型号:
RF4E100AJTCR
仓库库存编号:
RF4E100AJTCRCT-ND
别名:RF4E100AJTCRCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1W(Ta),52W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
NDDP010N25AZT4H
仓库库存编号:
NDDP010N25AZT4HOSCT-ND
别名:NDDP010N25AZT4HOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4496
仓库库存编号:
785-1292-1-ND
别名:785-1292-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.52W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4468LSS-13
仓库库存编号:
DMN4468LSS-13DI-ND
别名:DMN4468LSS-13DI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8308-TL-H
仓库库存编号:
ECH8308-TL-H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 8V 10A
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 890mW(Ta) U-WLB1515-9
型号:
DMP1012UCB9-7
仓库库存编号:
DMP1012UCB9-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1341-TL-W
仓库库存编号:
SFT1341-TL-W-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 10A TP
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) IPAK/TP
型号:
SFT1341-W
仓库库存编号:
SFT1341-W-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 1W(Ta),52W(Tc) IPAK/TP
型号:
NDDP010N25AZ-1H
仓库库存编号:
NDDP010N25AZ-1HOS-ND
别名:NDDP010N25AZ-1HOS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 550mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1E100XNTR
仓库库存编号:
RQ1E100XNTR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH100N03TB1
仓库库存编号:
RSH100N03TB1CT-ND
别名:RSH100N03TB1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK10S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK10S04K3L(T6L1NQ
TK10S04K3LT6L1NQ
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ10S04M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ10S04M3L(T6L1NQ
TJ10S04M3LT6L1NQ
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS100N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS100N03FU6TB-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 650mW(Ta) 8-SOP
型号:
RRH100P03TB1
仓库库存编号:
RRH100P03TB1CT-ND
别名:RRH100P03TB1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4384DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4384DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 8-SOIC
型号:
RRS100P03TB1
仓库库存编号:
RRS100P03TB1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A60DSTA4QM-ND
别名:TK10A60DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4421DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4421DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4423DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4423DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4451DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4451DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4451DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4451DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A50D(STA4QM)-ND
别名:TK10A50D(STA4QM)
TK10A50DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta),
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