规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-WLCSP(1.6x1.6)
型号:
SI8425DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8425DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8425DB-T1-E1CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4114NT1G
仓库库存编号:
NTLJS4114NT1GOSCT-ND
别名:NTLJS4114NT1GOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN3730UFB4-7
仓库库存编号:
DMN3730UFB4-7CT-ND
别名:DMN3730UFB4-7CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.77A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2314EDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2314EDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2314EDS-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3493BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3493BDV-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG327N
仓库库存编号:
FDG327NCT-ND
别名:FDG327NCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA433EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA433EDJ-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 700mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3136PT1G
仓库库存编号:
NTGS3136PT1GOSCT-ND
别名:NTGS3136PT1GOSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3477DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3477DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3477DV-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB452DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB452DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB452DK-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.4A(Tc) 5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4403CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403CDY-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5406CDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5406CDC-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),3.5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3460BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3460BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3460BDV-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS23DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS23DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS23DN-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD306P
仓库库存编号:
FDD306PCT-ND
别名:FDD306PCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),39.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS407ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS407ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS407ADN-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA910PZ
仓库库存编号:
FDMA910PZCT-ND
别名:FDMA910PZCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA905P
仓库库存编号:
FDMA905PFSCT-ND
别名:FDMA905PFSCT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 270mW(Ta) SC-70-6
型号:
MIC94053YC6-TR
仓库库存编号:
576-2939-1-ND
别名:576-2939-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3460DV-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858BDP-T1-GE3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-E3CT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 104A(Tc) 2.8W(Ta),96W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD25404Q3T
仓库库存编号:
296-43210-1-ND
别名:296-43210-1
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN2400UFB-7
仓库库存编号:
DMN2400UFB-7DICT-ND
别名:DMN2400UFB-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 810mA(Ta) 460mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2500UFB4-7
仓库库存编号:
DMN2500UFB4-7DICT-ND
别名:DMN2500UFB4-7DICT
规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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