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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD620N60ZF
仓库库存编号:
FCD620N60ZFCT-ND
别名:FCD620N60ZFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 2W(Ta) TO-252
型号:
DMNH10H028SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SK3Q-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH10H028SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SPSQ-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SPSQ-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86250
仓库库存编号:
FDMS86250CT-ND
别名:FDMS86250CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.8W(Ta),110W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL22N65M5
仓库库存编号:
497-13600-1-ND
别名:497-13600-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422724
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422552
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC018NE2LSI
仓库库存编号:
BSC018NE2LSICT-ND
别名:BSC018NE2LSICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N04S408AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S408AATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S408AATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R280P7ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18503KCS
仓库库存编号:
296-34974-5-ND
别名:296-34974-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19503KCS
仓库库存编号:
296-37481-5-ND
别名:296-37481-5
CSD19503KCS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP15N40
仓库库存编号:
FDP15N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP14N60P
仓库库存编号:
IXFP14N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R250CP
仓库库存编号:
IPA50R250CP-ND
别名:IPA50R250CPXKSA1
SP000236080
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT462
仓库库存编号:
785-1147-5-ND
别名:785-1147-1
785-1147-1-ND
785-1147-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N65C
仓库库存编号:
FQPF7N65C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 144W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD3672_F085
仓库库存编号:
FDD3672_F085CT-ND
别名:FDD3672_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI8N60CTU
仓库库存编号:
FQI8N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQB8N60CTM_WSCT-ND
别名:FQB8N60CTM_WSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4488DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4488DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4488DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 52W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF7N65CYDTU
仓库库存编号:
FQPF7N65CYDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB42AN15A0_F085
仓库库存编号:
FDB42AN15A0_F085CT-ND
别名:FDB42AN15A0_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF740ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF740ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF740ASTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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