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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF10T4
仓库库存编号:
497-6550-1-ND
别名:497-6550-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G-ND
IPI086N10N3G
SP000485982
SP000683070
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW42N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15883-5-ND
别名:497-15883-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP111N15N3 G
仓库库存编号:
IPP111N15N3 G-ND
别名:IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1
SP000677860
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH140N6F7-6
仓库库存编号:
497-16971-1-ND
别名:497-16971-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGTR-ND
别名:TSM085P03CV RGGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGCT-ND
别名:TSM085P03CV RGGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGDKR-ND
别名:TSM085P03CV RGGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA90EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA90EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD20NF10T4
仓库库存编号:
STD20NF10T4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 2.5W(Ta),62.5W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4185
仓库库存编号:
AOI4185-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL
详细描述:通孔 P 沟道 34A(Tc) 33W(Tc) TO-220FL
型号:
AOTF4185
仓库库存编号:
AOTF4185-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) ATPAK
型号:
ATP113-TL-H
仓库库存编号:
869-1077-2-ND
别名:869-1077-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS5A113PLZT4G
仓库库存编号:
NVATS5A113PLZT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),72A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) TO-220
型号:
AOT2608L
仓库库存编号:
785-1437-5-ND
别名:785-1437-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P04SDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04SDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 72A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11A(Ta),72A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB2608L
仓库库存编号:
785-1470-1-ND
别名:785-1470-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6018ANJTL
仓库库存编号:
R6018ANJTL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36P15P
仓库库存编号:
IXTH36P15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR36P15P
仓库库存编号:
IXTR36P15P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 75W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
别名:SP001418106
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名:IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 45A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名:SP000396276
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名:SP000952816
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 55nC @ 10V,
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