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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30
仓库库存编号:
IRFPG30-ND
别名:*IRFPG30
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30
仓库库存编号:
IRFBG30-ND
别名:*IRFBG30
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744
仓库库存编号:
IRF744-ND
别名:*IRF744
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI744G
仓库库存编号:
IRFI744G-ND
别名:*IRFI744G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF744L
仓库库存编号:
IRF744L-ND
别名:*IRF744L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 16A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N05LSM
仓库库存编号:
RFD16N05LSM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD4302T4
仓库库存编号:
NTD4302T4OS-ND
别名:NTD4302T4OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4
仓库库存编号:
MTB30P06VT4OS-ND
别名:MTB30P06VT4OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344PBF
仓库库存编号:
IRFP344PBF-ND
别名:*IRFP344PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744PBF
仓库库存编号:
IRF744PBF-ND
别名:*IRF744PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI744GPBF
仓库库存编号:
IRFI744GPBF-ND
别名:*IRFI744GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7088SN3
仓库库存编号:
FDS7088SN3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90C-ND
别名:Q2658628A
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 250V 21.7A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF34N25
仓库库存编号:
FQAF34N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 34A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 34A(Tc) 245W(Tc) TO-3P
型号:
FQA34N25
仓库库存编号:
FQA34N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
FQA11N90C
仓库库存编号:
FQA11N90CFS-ND
别名:FQA11N90CFS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7510-100B,127
仓库库存编号:
568-6620-5-ND
别名:568-6620
568-6620-5
568-6620-ND
934057110127
BUK7510-100B
BUK7510-100B,127-ND
BUK7510-100B-ND
BUK7510100B127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD4302
仓库库存编号:
NTD4302-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 8.4A(Ta),68A(Tc) 1.04W(Ta),75W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4302-1G
仓库库存编号:
NTD4302-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Ta) 90W(Tc) TO-3P(N)IS
型号:
2SK2917(F)
仓库库存编号:
2SK2917(F)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3670
仓库库存编号:
FDS3670-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4G
仓库库存编号:
MTB30P06VT4GOSCT-ND
别名:MTB30P06VT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) 47W(Tc) DPAK
型号:
NTD5805NT4G
仓库库存编号:
NTD5805NT4GOSCT-ND
别名:NTD5805NT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
详细描述:通孔 P 沟道 60V 28A(Ta) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220ML
型号:
2SJ652
仓库库存编号:
2SJ652-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
详细描述:通孔 P 沟道 60V 28A(Ta) TO-220ML
型号:
2SJ652-RA11
仓库库存编号:
2SJ652-RA11-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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