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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF4905STRL
仓库库存编号:
AUIRF4905STRLCT-ND
别名:AUIRF4905STRLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK765R0-100E,118
仓库库存编号:
1727-7135-1-ND
别名:1727-7135-1
568-9567-1
568-9567-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 140A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 1.9W(Ta),330W(Tc) TO-220
型号:
AOT260L
仓库库存编号:
785-1273-5-ND
别名:785-1273-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX100N65X2
仓库库存编号:
IXFX100N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N30P
仓库库存编号:
IXTQ88N30P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH88N30P
仓库库存编号:
IXTH88N30P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK62J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK62J60WS1VQ-ND
别名:TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA55N25
仓库库存编号:
FQA55N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E5R2-100E,127
仓库库存编号:
1727-7247-ND
别名:1727-7247
568-9856-5
568-9856-5-ND
934066518127
BUK7E5R2100E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
IXFK100N65X2
仓库库存编号:
IXFK100N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N10Q
仓库库存编号:
IXFH80N10Q-ND
别名:IXFH80N10
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF1405ZSTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH310N10F7-2
仓库库存编号:
497-13585-1-ND
别名:497-13585-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc)
型号:
STH310N10F7-6
仓库库存编号:
497-13586-1-ND
别名:497-13586-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7623DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7623DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7623DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-247
型号:
TK62N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK62N60WS1VF-ND
别名:TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 150W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ466E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ466E-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 30A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7159DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7159DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 130A(Ta) 1.5W(Ta),83W(Tc) 8-HVSON(5.4x5.15)
型号:
UPA2764T1A-E2-AY
仓库库存编号:
UPA2764T1A-E2-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 1.9W(Ta),330W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB260L
仓库库存编号:
785-1325-1-ND
别名:785-1325-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NG
仓库库存编号:
NTP5860NG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT88N30P
仓库库存编号:
IXFT88N30P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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