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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP10N20C
仓库库存编号:
FQP10N20C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP18N20F
仓库库存编号:
FDP18N20F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF27S60L
仓库库存编号:
785-1608-5-ND
别名:785-1608-5
AOTF27S60
AOTF27S60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 40W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8878
仓库库存编号:
FDD8878CT-ND
别名:FDD8878CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4615PBF
仓库库存编号:
IRFB4615PBF-ND
别名:SP001565882
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK27S60L
仓库库存编号:
785-1534-5-ND
别名:AOK27S60L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB4NK60ZT4
仓库库存编号:
497-2486-1-ND
别名:497-2486-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN017-80PS,127
仓库库存编号:
1727-5892-ND
别名:1727-5892
568-7511-5
568-7511-5-ND
934063999127
PSMN017-80PS,127-ND
PSMN01780PS127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU5N62K3
仓库库存编号:
497-12366-ND
别名:497-12366
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 4.1W(Ta),24W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7400B
仓库库存编号:
785-1677-1-ND
别名:785-1677-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V PWR33
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta),16.5A(Tc) 2.1W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8878_F126
仓库库存编号:
FDMC8878_F126CT-ND
别名:FDMC8878_F126CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
型号:
DMG6898LSDQ-13
仓库库存编号:
DMG6898LSDQ-13DICT-ND
别名:DMG6898LSDQ-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 5W(Ta),37.9W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7686DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7686DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7686DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),14A(Tc) 2.3W(Ta),30W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8327L
仓库库存编号:
FDMC8327LCT-ND
别名:FDMC8327LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NK40ZT4
仓库库存编号:
497-6565-1-ND
别名:497-6565-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) D-Pak
型号:
FQD18N20V2TM
仓库库存编号:
FQD18N20V2TMCT-ND
别名:FQD18N20V2TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3610S
仓库库存编号:
FDMS3610SCT-ND
别名:FDMS3610SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN10A09KTC
仓库库存编号:
ZXMN10A09KCT-ND
别名:ZXMN10A09KCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair?
型号:
SIZ914DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ914DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 200V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF18N20FT_G
仓库库存编号:
FDPF18N20FT_G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 34.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF8N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF8N60ZUT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7956DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7956DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7956DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta),33W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8329TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N04S4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND
别名:IPG20N04S4L11ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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