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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta),12A(Tc) 2.1W(Ta),20W(Tc) TO-251A
型号:
AOI444
仓库库存编号:
AOI444-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
型号:
VEC2415-TL-W
仓库库存编号:
VEC2415-TL-WOSCT-ND
别名:VEC2415-TL-WOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
FW217A-TL-2W
仓库库存编号:
FW217A-TL-2W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 60V 3.5A, 3A 2W Surface Mount TO-252-4L
型号:
AOD603A
仓库库存编号:
AOD603A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 74W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2HC60
仓库库存编号:
AOD2HC60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
型号:
VEC2616-TL-W-Z
仓库库存编号:
VEC2616-TL-W-Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名:SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOIC
型号:
FW389-TL-2W
仓库库存编号:
FW389-TL-2W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK10S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK10S04K3L(T6L1NQ
TK10S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
别名:TK8S06K3L(T6L1NQ)
TK8S06K3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N80
仓库库存编号:
785-1639-5-ND
别名:785-1639-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010PBF
仓库库存编号:
IRFR010PBF-ND
别名:*IRFR010PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR010TRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRPBF
仓库库存编号:
IRFR010TRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名:SP001063642
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名:SP001117732
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR120ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR120ZTRL-ND
别名:SP001520338
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 300mA(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS1HNK60
仓库库存编号:
497-3530-1-ND
别名:497-3530-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK60Z
仓库库存编号:
497-4377-5-ND
别名:497-4377-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DNF60
仓库库存编号:
497-8041-1-ND
别名:497-8041-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010
仓库库存编号:
IRFR010-ND
别名:*IRFR010
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TRL
仓库库存编号:
IRFR010TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR010TR
仓库库存编号:
IRFR010TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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型号:
IRFR010TRR
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含铅
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MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 50V 8.2A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU010
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规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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