规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS3004-7TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3004-7TRL-ND
别名:SP001515878
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUB75P03-07-E3
仓库库存编号:
SUB75P03-07-E3CT-ND
别名:SUB75P03-07-E3-ND
SUB75P03-07-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804
仓库库存编号:
IRF2804-ND
别名:*IRF2804
SP001569996
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRL
仓库库存编号:
IRF2804STRL-ND
别名:SP001555150
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRR
仓库库存编号:
IRF2804STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 430W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4232PBF
仓库库存编号:
IRFP4232PBF-ND
别名:Q2102191
SP001571078
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S3-05
仓库库存编号:
IPI80N06S3-05IN-ND
别名:IPI80N06S3-05-ND
IPI80N06S3-05IN
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3-05
仓库库存编号:
IPP80N06S3-05IN-ND
别名:IPP80N06S3-05-ND
IPP80N06S3-05IN
IPP80N06S305X
IPP80N06S305XK
SP000102213
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB70N10L
仓库库存编号:
SPB70N10L-ND
别名:SP000012079
SPB70N10LT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI70N10L
仓库库存编号:
SPI70N10L-ND
别名:SP000014005
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N10L
仓库库存编号:
SPI80N10L-ND
别名:SP000014351
SPI80N10LX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP70N10L
仓库库存编号:
SPP70N10LIN-ND
别名:SP000012103
SPP70N10L-ND
SPP70N10LIN
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N10L
仓库库存编号:
SPP80N10L-ND
别名:SP000014349
SPP80N10LX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L G
仓库库存编号:
SPB80N10LGINCT-ND
别名:SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 231W(Tc) TO-262
型号:
IRF2903ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2903ZLPBF-ND
别名:SP001561564
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3-05
仓库库存编号:
IPB80N06S3-05-ND
别名:SP000102222
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF1324LPBF
仓库库存编号:
IRF1324LPBF-ND
别名:SP001564274
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Ta) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3004PBF
仓库库存编号:
IRFSL3004PBF-ND
别名:SP001578466
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 195A(Tc) 370W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3107PBF
仓库库存编号:
IRFSL3107PBF-ND
别名:SP001557588
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1324STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1324STRLPBFCT-ND
别名:IRF1324STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004GPBF
仓库库存编号:
IRFB3004GPBF-ND
别名:SP001563908
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1324S
仓库库存编号:
AUIRF1324S-ND
别名:SP001518994
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 231W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2903ZS
仓库库存编号:
AUIRF2903ZS-ND
别名:SP001518498
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFS3004
仓库库存编号:
AUIRFS3004-ND
别名:SP001522180
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 240nC @ 10V,
无铅
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