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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76629D3ST
仓库库存编号:
HUF76629D3STCT-ND
别名:HUF76629D3STCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) D2PAK
型号:
NTB45N06T4G
仓库库存编号:
NTB45N06T4GOSCT-ND
别名:NTB45N06T4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) Power56
型号:
FDMS86201
仓库库存编号:
FDMS86201CT-ND
别名:FDMS86201CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2672_F085
仓库库存编号:
FDS2672_F085CT-ND
别名:FDS2672_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ050N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ042N04NS G
仓库库存编号:
BSZ042N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSZ042N04NSGINCT
BSZ042N04NSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32P05T
仓库库存编号:
IXTP32P05T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ34GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ34GPBF-ND
别名:*IRFIZ34GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 58A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK58E06N1,S1X
仓库库存编号:
TK58E06N1S1X-ND
别名:TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP70N075T2
仓库库存编号:
IXTP70N075T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A90E,S4X
仓库库存编号:
TK9A90ES4X-ND
别名:TK9A90E,S4X(S
TK9A90ES4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A80E,S4X
仓库库存编号:
TK10A80ES4X-ND
别名:TK10A80E,S4X(S
TK10A80ES4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 28A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 28A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP28P065T
仓库库存编号:
IXTP28P065T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 107W(Tj) Power56
型号:
FDWS86369_F085
仓库库存编号:
FDWS86369_F085CT-ND
别名:FDWS86369_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4444
仓库库存编号:
785-1197-1-ND
别名:785-1197-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76429D3ST_F085
仓库库存编号:
HUFA76429D3ST_F085CT-ND
别名:HUFA76429D3ST_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76429S3ST
仓库库存编号:
HUF76429S3STCT-ND
别名:HUF76429S3STCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5016FNJTL
仓库库存编号:
R5016FNJTLCT-ND
别名:R5016FNJTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH1N450HV
仓库库存编号:
IXTH1N450HV-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA6676PZ
仓库库存编号:
FDMA6676PZCT-ND
别名:FDMA6676PZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK9J90E,S1E
仓库库存编号:
TK9J90ES1E-ND
别名:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK58A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK58A06N1S4X-ND
别名:TK58A06N1,S4X(S
TK58A06N1,S4X-ND
TK58A06N1S4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP8NK80ZFP
仓库库存编号:
497-5982-5-ND
别名:497-5982-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA28P065T
仓库库存编号:
IXTA28P065T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD9409_F085
仓库库存编号:
FDD9409_F085CT-ND
别名:FDD9409_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 46nC @ 10V,
无铅
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