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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI6N62K3
仓库库存编号:
497-12265-ND
别名:497-12265
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI6N62K3
仓库库存编号:
497-13269-5-ND
别名:497-13269-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP19NM50N
仓库库存编号:
497-10577-5-ND
别名:497-10577-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7N95K3
仓库库存编号:
497-8798-5-ND
别名:497-8798-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP18NM60ND
仓库库存编号:
497-13882-5-ND
别名:497-13882-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
STW18NM60ND
仓库库存编号:
497-13887-5-ND
别名:497-13887-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03LS GCT
BSC883N03LS GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4448
仓库库存编号:
AO4448-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),26A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6452
仓库库存编号:
785-1231-1-ND
别名:785-1231-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT8012LSS-13
仓库库存编号:
DMT8012LSS-13DICT-ND
别名:DMT8012LSS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMTH8012LK3-13
仓库库存编号:
DMTH8012LK3-13DICT-ND
别名:DMTH8012LK3-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),65A(Tc) 2.1W(Ta),113W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT8012LPS-13
仓库库存编号:
DMT8012LPS-13DICT-ND
别名:DMT8012LPS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),72A(Tc) 2.6W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH8012LPS-13
仓库库存编号:
DMTH8012LPS-13DICT-ND
别名:DMTH8012LPS-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ486EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ486EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ486EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN2R203NCL1QCT-ND
别名:TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NC,L1QCT-ND
TPN2R203NCL1QCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta),29A(Tc) 135W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD2572
仓库库存编号:
FDD2572CT-ND
别名:FDD2572CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB18NM60ND
仓库库存编号:
497-13829-1-ND
别名:497-13829-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7316GTRPBFCT-ND
别名:IRF7316GTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 141W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R102G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R102G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R102G7XTMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta),100A(Tc) 192W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18533KCS
仓库库存编号:
296-35013-ND
别名:296-35013
CSD18533KCS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 2W(Ta),32W(Tc) TO-220-3
型号:
NDFP03N150CG
仓库库存编号:
NDFP03N150CGOS-ND
别名:NDFP03N150CGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34NPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NPBF-ND
别名:*IRFZ34NPBF
SP001568128
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220
型号:
TK32E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK32E12N1S1X-ND
别名:TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta),29A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP2572
仓库库存编号:
FDP2572FS-ND
别名:FDP2572-ND
FDP2572FS
Q1965920
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z34GPBF-ND
别名:*IRFI9Z34GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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