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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF20STRLPBFCT-ND
别名:IRFBF20STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK16E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK16E60WS1VX-ND
别名:TK16E60W,S1VX(S
TK16E60WS1VX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ22N60P3
仓库库存编号:
IXFQ22N60P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK16C60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16C60WS1VQ-ND
别名:TK16C60W,S1VQ(S
TK16C60WS1VQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK16N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK16N60WS1VF-ND
别名:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK16J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16J60WS1VQ-ND
别名:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9358TRPBF
仓库库存编号:
IRF9358TRPBFCT-ND
别名:IRF9358TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840APBF
仓库库存编号:
IRF840APBF-ND
别名:*IRF840APBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P3
仓库库存编号:
IXFH22N60P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF840ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF840ASTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB5620PBF
仓库库存编号:
IRFB5620PBF-ND
别名:SP001565852
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF20GPBF-ND
别名:*IRFIBF20GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 125V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR696DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR696DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR696DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR610DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR610DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR610DP-T1-RE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD425
仓库库存编号:
785-1352-1-ND
别名:785-1352-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
SVD5806NT4G
仓库库存编号:
SVD5806NT4G-ND
别名:NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 53W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7415AENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7415AENW-T1_GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 10.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2810
仓库库存编号:
AOD2810-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634B_FP001
仓库库存编号:
IRF634B_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10.5A(Tc) 66W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9530
仓库库存编号:
SFP9530-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4894BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4894BDY-T1-E3TR-ND
别名:SI4894BDY-T1-E3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 15A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),50A(Tc) 6.25W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7290
仓库库存编号:
AON7290-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ840EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ840EP-T1_GE3-ND
别名:SQJ840EP-T1-GE3
SQJ840EP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 10.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 10.5A(Ta),46A(Tc) 2.1W(Ta),93.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT288L
仓库库存编号:
AOT288L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 10.5A(Ta),43A(Tc) 2.1W(Ta),35.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF288L
仓库库存编号:
AOTF288L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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