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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 49A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7626-100B,118
仓库库存编号:
1727-4705-1-ND
别名:1727-4705-1
568-5855-1
568-5855-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF20
仓库库存编号:
497-7946-1-ND
别名:497-7946-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-263
型号:
IXFA22N65X2
仓库库存编号:
IXFA22N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.2A(Tc) 4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4447ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4447ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4447ADY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4431CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4431CDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.56W(Ta) SOT-223
型号:
NVF5P03T3G
仓库库存编号:
NVF5P03T3GOSCT-ND
别名:NVF5P03T3GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 53W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7415AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
别名:SQ7415AEN-T1-GE3
SQ7415AEN-T1-GE3TR
SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
SQ7415AEN-T1_GE3TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4894BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4894BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4894BDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9430T
仓库库存编号:
DI9430CT-ND
别名:DI9430
DI9430CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9430T
仓库库存编号:
981-DI9430T-CHP
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ912AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ912AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ912AEP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8103(TE12L,QM)
仓库库存编号:
TPCC8103(TE12LQM)CT-ND
别名:TPCC8103(TE12LQM)CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N60TM
仓库库存编号:
FQB7N60TMCT-ND
别名:FQB7N60TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A
详细描述:通孔 P 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9P25YDTU
仓库库存编号:
FQPF9P25YDTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530STRLPBFCT-ND
别名:IRF9530STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N60TU
仓库库存编号:
FQI7N60TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF400N60
仓库库存编号:
FCPF400N60FS-ND
别名:FCPF400N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF840ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRF840ASTRRPBFCT-ND
别名:IRF840ASTRRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60WS4VX-ND
别名:TK16A60W,S4VX(M
TK16A60WS4VX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK16G60W,RVQ
仓库库存编号:
TK16G60WRVQCT-ND
别名:TK16G60WRVQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9333TRPBF
仓库库存编号:
IRF9333TRPBFCT-ND
别名:IRF9333TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7815TRPBF
仓库库存编号:
IRF7815TRPBFCT-ND
别名:IRF7815TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4620TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7342QTR
仓库库存编号:
AUIRF7342QCT-ND
别名:AUIRF7342QCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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