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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227B
型号:
FB180SA10
仓库库存编号:
FB180SA10-ND
别名:*FB180SA10
VS-FB180SA10
VS-FB180SA10-ND
VSFB180SA10
VSFB180SA10-ND
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 38A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
FA38SA50LC
仓库库存编号:
FA38SA50LC-ND
别名:*FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC
VS-FA38SA50LC-ND
VSFA38SA50LC
VSFA38SA50LC-ND
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 57A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
FA57SA50LC
仓库库存编号:
FA57SA50LC-ND
别名:*FA57SA50LC
VS-FA57SA50LC
VS-FA57SA50LC-ND
VSFA57SA50LC
VSFA57SA50LC-ND
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRL
仓库库存编号:
IRLR8103TRL-ND
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRR
仓库库存编号:
IRLR8103TRR-ND
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 31A 1140W Chassis Mount 16-MTP
型号:
19MT050XF
仓库库存编号:
19MT050XF-ND
别名:*19MT050XF
规格:系列 HEXFET?,
含铅
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