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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.6W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3433CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3433CDV-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2307BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2307BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2307BDS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1022R-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8800EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8800EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8800EDB-T2-E1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2318AES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2318AES-T1_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2318DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2318DS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.3W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2338DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2338DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2338DS-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1469DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1469DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1469DH-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Tc) 2W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2309ES-T1_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 2W(Tc) SOT-23(TO-236AB)
型号:
SQ2308CES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2308CES-T1_GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2323DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2323DS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA429DJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA429DJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA429DJT-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2343CDS-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002E-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002E-T1-E3CT-ND
别名:2N7002E-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.2W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS412DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS412DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS412DN-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS413DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS413DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS413DN-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333DS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2316DS-T1-E3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3459BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3459BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3459BDV-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8499DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8499DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8499DB-T2-E1CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5442DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5442DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5442DU-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4128DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4128DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4128DY-T1-GE3CT
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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