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Apex Microtechnology
IC BRIDGE DRVR ANLG/PWM 12SIP DP
详细描述：Half Bridge (2) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 12-POWER SIP
型号：
SA160DPA
仓库库存编号：
1240-1005-5-ND
别名：1240-1005-5
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM45FAG
仓库库存编号：
APTM100UM45FAG-ND
别名：APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 145A（Tc） 3250W（Tc） SP6
型号：
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号：
APTM100UM65SCAVG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 171A（Tc） 5000W（Tc） SP6
型号：
APTM120UM70FAG
仓库库存编号：
APTM120UM70FAG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Apex Microtechnology
IC AMP PWM 80V 14A 12-SIP EE
详细描述：Half Bridge (2) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 12-POWER SIP
型号：
SA160AEE
仓库库存编号：
SA160AEE-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120U
仓库库存编号：
VS-GB100TH120U-ND
别名：VSGB100TH120U
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 260A 1042W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GA200TH60S
仓库库存编号：
VS-GA200TH60S-ND
别名：VSGA200TH60S
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 55A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC60TLM55CT3AG
仓库库存编号：
APTMC60TLM55CT3AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Apex Microtechnology
IC AMP PWM 80V 14A 12SIP
详细描述：Half Bridge (2) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 12-SIP
型号：
SA160EEA
仓库库存编号：
SA160EEA-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 370A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200LH120N
仓库库存编号：
VS-GB200LH120N-ND
别名：VSGB200LH120N
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 420A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200NH120N
仓库库存编号：
VS-GB200NH120N-ND
别名：VSGB200NH120N
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Apex Microtechnology
IC AMP PWM 80V 14A 12-SIP
详细描述：Half Bridge (2) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 12-POWER SIP
型号：
SA160A
仓库库存编号：
SA160AAM-ND
别名：SA160AAM
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 620A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300AH120N
仓库库存编号：
VS-GB300AH120N-ND
别名：VSGB300AH120N
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 650A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400AH120N
仓库库存编号：
VS-GB400AH120N-ND
别名：VSGB400AH120N
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 143A 600W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC120AM20CT1AG
仓库库存编号：
APTMC120AM20CT1AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 53A 350W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC170AM60CT1AG
仓库库存编号：
APTMC170AM60CT1AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MODULE THY 430A SMAGN-A-PAK
详细描述：SCR Module 2000V 675A Series Connection - All SCRs Chassis Mount SUPER MAGN-A-PAK
型号：
VS-VSKT430-20PBF
仓库库存编号：
VS-VSKT430-20PBF-ND
别名：VSVSKT43020PBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 220A 925W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC120AM12CT3AG
仓库库存编号：
APTMC120AM12CT3AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 106A 700W Chassis Mount SP1
型号：
APTMC170AM30CT1AG
仓库库存编号：
APTMC170AM30CT1AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 295A 1250W Chassis Mount SP3
型号：
APTMC120AM09CT3AG
仓库库存编号：
APTMC120AM09CT3AG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 147A 625W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTMC120TAM17CTPAG
仓库库存编号：
APTMC120TAM17CTPAG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A 925W Chassis Mount SP6
型号：
APTMC60TLM14CAG
仓库库存编号：
APTMC60TLM14CAG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 220A 925W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTMC120TAM12CTPAG
仓库库存编号：
APTMC120TAM12CTPAG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-323
详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
BFU520WF
仓库库存编号：
BFU520WF-ND
别名：934067693135
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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NXP USA Inc.
TRANS RF NPN 12V 50MA TO-236AB
详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
BFU550AVL
仓库库存编号：
BFU550AVL-ND
别名：934067699235
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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