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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 220V 135A E2
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 2200V 150A Chassis Mount E2
型号：
VUB135-22NO1
仓库库存编号：
VUB135-22NO1-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC60TAM35PG
仓库库存编号：
APTC60TAM35PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT BUCK 1200V 330A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MDI300-12A4
仓库库存编号：
MDI300-12A4-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MID300-12A4
仓库库存编号：
MID300-12A4-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50DAM17G
仓库库存编号：
APTM50DAM17G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 180A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM50SKM17G
仓库库存编号：
APTM50SKM17G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TDUM09PG
仓库库存编号：
APTM10TDUM09PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 46A 357W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50HM75SCTG
仓库库存编号：
APTM50HM75SCTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 84A
详细描述：IGBT Module PT Three Phase Inverter with Brake 1200V 120A 390W Chassis Mount E3
型号：
MIXA81WB1200TEH
仓库库存编号：
MIXA81WB1200TEH-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM04G
仓库库存编号：
APTM20DAM04G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100DAM90G
仓库库存编号：
APTM100DAM90G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM100SKM90G
仓库库存编号：
APTM100SKM90G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP4
型号：
APTC90AM60SCTG
仓库库存编号：
APTC90AM60SCTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC90HM60T3G
仓库库存编号：
APTC90HM60T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20DHM08G
仓库库存编号：
APTM20DHM08G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP4
型号：
APTC90H12SCTG
仓库库存编号：
APTC90H12SCTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD THYRISTOR TRI 22KV TO-240
详细描述：SCR Module 2200V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount TO-240AA
型号：
MCNA120UI2200TED
仓库库存编号：
MCNA120UI2200TED-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 209A 781W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB200TS60NPBF
仓库库存编号：
VS-GB200TS60NPBF-ND
别名：VSGB200TS60NPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 56A 568W Chassis Mount SP6
型号：
APTC80AM75SCG
仓库库存编号：
APTC80AM75SCG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 325A
详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 1200V 465A 1500W Chassis Mount Module
型号：
MIXA300PF1200TSF
仓库库存编号：
MIXA300PF1200TSF-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
TRANS IGBT PWR MODULE 1.2KV 330A
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 330A 1380W Chassis Mount Y3-DCB
型号：
MDI 300-12 A4
仓库库存编号：
MDI 300-12 A4-ND
别名：Q1754353
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 440A 1250W Chassis Mount D3
型号：
APTGT300A120D3G
仓库库存编号：
APTGT300A120D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200A170D3G
仓库库存编号：
APTGT200A170D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 90A 694W Chassis Mount SP4
型号：
APTM50AM38SCTG
仓库库存编号：
APTM50AM38SCTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 420A 1380W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300A120G
仓库库存编号：
APTGT300A120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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