规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400DA120G
仓库库存编号：
APTGT400DA120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 560A 1785W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400SK120G
仓库库存编号：
APTGT400SK120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号：
APTGT300DA170D3G
仓库库存编号：
APTGT300DA170D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 530A 1470W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 530A 1470W Chassis Mount D3
型号：
APTGT300SK170D3G
仓库库存编号：
APTGT300SK170D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 140A 480W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT100H120G
仓库库存编号：
APTGT100H120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 600A 2250W D4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 600A 2250W Chassis Mount D4
型号：
APTGT400U120D4G
仓库库存编号：
APTGT400U120D4G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 90A 694W Chassis Mount SP6
型号：
APTM50DHM38G
仓库库存编号：
APTM50DHM38G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200A120D3G
仓库库存编号：
APTGT200A120D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200DH120G
仓库库存编号：
APTGT200DH120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20DAM05G
仓库库存编号：
APTM20DAM05G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 317A（Tc） 1136W（Tc） SP6
型号：
APTM20SKM05G
仓库库存编号：
APTM20SKM05G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
型号：
APTM100A18FTG
仓库库存编号：
APTM100A18FTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 71A（Tc） 300W（Tc） SOT-227
型号：
APT50MC120JCU2
仓库库存编号：
APT50MC120JCU2-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10DHM05G
仓库库存编号：
APTM10DHM05G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 250A
详细描述：IGBT Module PT Half Bridge 1200V 360A 1100W Chassis Mount Module
型号：
MIXA225PF1200TSF
仓库库存编号：
MIXA225PF1200TSF-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
型号：
APTM100H35FTG
仓库库存编号：
APTM100H35FTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
仓库库存编号：
APTM10SKM02G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 174A 1400V PWS-E-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 174A Chassis Mount PWS-E
型号：
VBO160-14NO7
仓库库存编号：
VBO160-14NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 300A 1389W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB150LH120N
仓库库存编号：
VS-GB150LH120N-ND
别名：VSGB150LH120N
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 400A 1660W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300DA170G
仓库库存编号：
APTGT300DA170G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 400A 1660W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300SK170G
仓库库存编号：
APTGT300SK170G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
型号：
APTM120A29FTG
仓库库存编号：
APTM120A29FTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTGT50TDU170PG
仓库库存编号：
APTGT50TDU170PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 100A 350W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTGT75TA120PG
仓库库存编号：
APTGT75TA120PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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