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IXYS
MOD THYRISTOR DUAL 16KV E2-PACK
详细描述：SCR Module 1800V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Chassis Mount E2
型号：
MCMA120UJ1800ED
仓库库存编号：
MCMA120UJ1800ED-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD 3-PHASE BRIDGE 200A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 200A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-200MT40KPBF
仓库库存编号：
VS-200MT40KPBF-ND
别名：VS200MT40KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 110A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-110MT100KPBF
仓库库存编号：
VS-110MT100KPBF-ND
别名：VS110MT100KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 1200V 80A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 130A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-130MT80KPBF
仓库库存编号：
VS-130MT80KPBF-ND
别名：VS130MT80KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT
详细描述：IGBT Module PT, Trench Half Bridge 600V 337A 781W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GP100TS60SFPBF
仓库库存编号：
VS-GP100TS60SFPBF-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MODULE IGBT CBI E2
详细描述：IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200V 62A 220W Chassis Mount E2
型号：
MUBW40-12T7
仓库库存编号：
MUBW40-12T7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200DA120D3G
仓库库存编号：
APTGT200DA120D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号：
APTGT200SK120D3G
仓库库存编号：
APTGT200SK120D3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 150A
详细描述：SCR Module 1600V Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount E2
型号：
VVZB135-16IOXT
仓库库存编号：
VVZB135-16IOXT-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 1200V 140A MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 130A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-130MT140KPBF
仓库库存编号：
VS-130MT140KPBF-ND
别名：VS130MT140KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 174A 1600V PWS-E-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 174A Chassis Mount PWS-E
型号：
VBO160-16NO7
仓库库存编号：
VBO160-16NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 3PH 1600V PWS-E-1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 248A Chassis Mount PWS-E1
型号：
VUO190-16NO7
仓库库存编号：
VUO190-16NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 240A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 240A Chassis Mount PWS-E-Flat
型号：
VUO192-16NO7
仓库库存编号：
VUO192-16NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 160A 1000V MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 130A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-160MT100KPBF
仓库库存编号：
VS-160MT100KPBF-ND
别名：VS160MT100KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 180A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 180A PCB, Through Hole Module
型号：
VUB120-16NOX
仓库库存编号：
VUB120-16NOX-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TA15PG
仓库库存编号：
APTC80TA15PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC80TDU15PG
仓库库存编号：
APTC80TDU15PG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 28A 277W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80A15SCTG
仓库库存编号：
APTC80A15SCTG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200DA120G
仓库库存编号：
APTGT200DA120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200SK120G
仓库库存编号：
APTGT200SK120G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1600V 120A
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 120A Chassis Mount Module
型号：
VUB116-16NOXT
仓库库存编号：
VUB116-16NOXT-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IC BRIDGE 3PH 160A 1400V MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 160A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-160MT140KPBF
仓库库存编号：
VS-160MT140KPBF-ND
别名：VS160MT140KPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT MODULE 1200V 250A
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 360A 1100W Chassis Mount Module
型号：
MIXA225RF1200TSF
仓库库存编号：
MIXA225RF1200TSF-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 174A 1800V PWS-E-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 174A Chassis Mount PWS-E
型号：
VBO160-18NO7
仓库库存编号：
VBO160-18NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 105A 500W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB75TP120U
仓库库存编号：
VS-GB75TP120U-ND
别名：VSGB75TP120U
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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