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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 109A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML202UM18R010T3AG
  仓库库存编号：APTML202UM18R010T3AG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 122A 1600V FO-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1600V 122A Chassis Mount PWS-E
  
  型号：VBO130-16NO7
  仓库库存编号：VBO130-16NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1600V 180A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 175A Chassis Mount PWS-E-Flat
  
  型号：VUO162-16NO7
  仓库库存编号：VUO162-16NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 154A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTML102UM09R004T3AG
  仓库库存编号：APTML102UM09R004T3AG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 1400V 70A 3-PHASE MTP
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 70A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-70MT140KPBF
  仓库库存编号：VS-70MT140KPBF-ND
  别名：VS70MT140KPBF
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD IGBT 1600V 70A 3-PHASE MTP
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 70A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-70MT160KPBF
  仓库库存编号：VS-70MT160KPBF-ND
  别名：VS70MT160KPBF
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 140A 1800V PWS-C
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 140A Chassis Mount PWS-C
  
  型号：VUO105-18NO7
  仓库库存编号：VUO105-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-C
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 166A Chassis Mount PWS-C
  
  型号：VUO125-18NO7
  仓库库存编号：VUO125-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 84A 370W Chassis Mount Y4
  
  型号：VMM85-02F
  仓库库存编号：VMM85-02F-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50H10FT3G
  仓库库存编号：APTM50H10FT3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DDAM24T3G
  仓库库存编号：APTC60DDAM24T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60VDAM24T3G
  仓库库存编号：APTC60VDAM24T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  DIODE BRIDGE 122A 1800V FO-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 122A Chassis Mount PWS-E
  
  型号：VBO130-18NO7
  仓库库存编号：VBO130-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 1800V PWS-E-1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 175A Chassis Mount PWS-E1
  
  型号：VUO160-18NO7
  仓库库存编号：VUO160-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W SP3
  
  型号：APTC60BBM24T3G
  仓库库存编号：APTC60BBM24T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
  详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 72A 225W Chassis Mount E2
  
  型号：MWI50-06A7T
  仓库库存编号：MWI50-06A7T-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM08TG
  仓库库存编号：APTM20DAM08TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM08TG
  仓库库存编号：APTM20SKM08TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC80H29SCTG
  仓库库存编号：APTC80H29SCTG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100DA18TG
  仓库库存编号：APTM100DA18TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 43A（Tc） 780W（Tc） SP4
  
  型号：APTM100SK18TG
  仓库库存编号：APTM100SK18TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT100A170TG
  仓库库存编号：APTGT100A170TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90H12T1G
  仓库库存编号：APTC90H12T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90AM60T1G
  仓库库存编号：APTC90AM60T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC90AM602G
  仓库库存编号：APTC90AM602G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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