规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60HM70BT3G
仓库库存编号：
APTCV60HM70BT3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 800V 107A PWS-C
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 107A Chassis Mount PWS-C
型号：
VBO105-08NO7
仓库库存编号：
VBO105-08NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 124A 800V PWS-C
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 124A Chassis Mount PWS-C
型号：
VBO125-08NO7
仓库库存编号：
VBO125-08NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 100A 350W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT75DU120TG
仓库库存编号：
APTGT75DU120TG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 200A Chassis Mount M3
型号：
MSD200-12
仓库库存编号：
MSD200-12-ND
别名：MSD20012
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT50A170TG
仓库库存编号：
APTGT50A170TG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 150A 560W SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100DA170TG
仓库库存编号：
APTGT100DA170TG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1700V 150A 560W SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT100SK170TG
仓库库存编号：
APTGT100SK170TG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1400V 72A PWS-D
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 72A Chassis Mount PWS-D
型号：
VBO72-14NO7
仓库库存编号：
VBO72-14NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT50H120T3G
仓库库存编号：
APTGT50H120T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号：
APTM120DA30CT1G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1700V 120A Chassis Mount SP4
型号：
APTDF100H170G
仓库库存编号：
APTDF100H170G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 20A 240W MTP
详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 20A 240W Chassis Mount MTP
型号：
VS-20MT120UFAPBF
仓库库存编号：
VS-20MT120UFAPBF-ND
别名：VS20MT120UFAPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 40A 240W MTP
详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 40A 240W Chassis Mount MTP
型号：
VS-20MT120UFP
仓库库存编号：
VS-20MT120UFP-ND
别名：VS20MT120UFP
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号：
APTC60SKM24CT1G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT H-BRIDGE 72A 600V E2PACK
详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 72A 225W Chassis Mount E2
型号：
MKI50-06A7T
仓库库存编号：
MKI50-06A7T-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2
详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 31A 100W Chassis Mount ECO-PAC2
型号：
VWI35-06P1
仓库库存编号：
VWI35-06P1-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
BRIDGE RECTIFIER SINGLE PHASE
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 122A Chassis Mount PWS-E
型号：
VBO130-08NO7
仓库库存编号：
VBO130-08NO7-ND
别名：Q2037307
VBO13008NO7
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 45A 210W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT30H170T3G
仓库库存编号：
APTGT30H170T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT NPT BUCK 1200V 135A Y4-M5
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
型号：
MDI100-12A3
仓库库存编号：
MDI100-12A3-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 135A Y4-M5
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
型号：
MID100-12A3
仓库库存编号：
MID100-12A3-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 21A 390W Chassis Mount SP1
型号：
APTM100A40FT1G
仓库库存编号：
APTM100A40FT1G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
RECT BRIDG 2PH 127A 1400V PWS-E1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 127A Chassis Mount PWS-E1
型号：
VUO110-14NO7
仓库库存编号：
VUO110-14NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
BRIDGE RECT 3 PHASE 1.2KV BR-5
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 140A Chassis Mount PWS-C
型号：
VUO105-12NO7
仓库库存编号：
VUO105-12NO7-ND
别名：Q2377661
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
DIODE BRIDGE 1200V 107A PWS-C
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 107A Chassis Mount PWS-C
型号：
VBO105-12NO7
仓库库存编号：
VBO105-12NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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