规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
型号：
APTM100H46FT3G
仓库库存编号：
APTM100H46FT3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MODULE PIM 80A 1200V PIM20
详细描述：IGBT Module T-Type 1200V 65A 146W Through Hole 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
型号：
NXH80T120L2Q0SG
仓库库存编号：
NXH80T120L2Q0SG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2
详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 18A 90W Chassis Mount ECO-PAC2
型号：
VWI15-12P1
仓库库存编号：
VWI15-12P1-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 110A SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT75DH120T3G
仓库库存编号：
APTGT75DH120T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD IGBT 1200V 140A SP2
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Through Hole SP2
型号：
APTGT100A1202G
仓库库存编号：
APTGT100A1202G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
详细描述：IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 45A 140W Chassis Mount E2
型号：
MWI30-06A7T
仓库库存编号：
MWI30-06A7T-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT25X120T3G
仓库库存编号：
APTGT25X120T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOD DIODE GPP 1600V 160A M3
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 160A Chassis Mount M3
型号：
MSD160-16
仓库库存编号：
MSD160-16-ND
别名：MSD160-16MI
MSD160-16MI-ND
MSD16016
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier 600V 39A 250W SP3
型号：
APTC60HM70RT3G
仓库库存编号：
APTC60HM70RT3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
RECT BRIDGE 2PH 127A 800V PWS-E1
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 127A Chassis Mount PWS-E1
型号：
VUO110-08NO7
仓库库存编号：
VUO110-08NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 200A Chassis Mount M3
型号：
MSD200-16
仓库库存编号：
MSD200-16-ND
别名：MSD200-16MP
MSD200-16MP-ND
MSD20016
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE39N90
仓库库存编号：
IXFE39N90-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10HM19FT3G
仓库库存编号：
APTM10HM19FT3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 52A 1400V PWS-D
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 52A Chassis Mount PWS-D
型号：
VBO52-14NO7
仓库库存编号：
VBO52-14NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 69A 195W MTP
详细描述：IGBT Module Full Bridge Inverter 600V 69A 195W Chassis Mount MTP
型号：
VS-25MT060WFAPBF
仓库库存编号：
VS-25MT060WFAPBF-ND
别名：VS25MT060WFAPBF
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT BUCK 1200V 90A Y4-M5
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 90A 370W Chassis Mount Y4-M5
型号：
MDI75-12A3
仓库库存编号：
MDI75-12A3-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCB
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 90A 370W Chassis Mount Y4-M5
型号：
MID75-12A3
仓库库存编号：
MID75-12A3-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60DDAM35T3G
仓库库存编号：
APTC60DDAM35T3G-ND
别名：APTC60DDAM35T3GMP
APTC60DDAM35T3GMP-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60DSKM35T3G
仓库库存编号：
APTC60DSKM35T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DDAM09T3G
仓库库存编号：
APTM10DDAM09T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10DSKM09T3G
仓库库存编号：
APTM10DSKM09T3G-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 1KV MTK
详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 70A Chassis Mount MT-K
型号：
VS-70MT100KPBF
仓库库存编号：
VS-70MT100KPBF-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 50A 1400V PWS-A
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 50A Chassis Mount PWS-A
型号：
VBO50-14NO7
仓库库存编号：
VBO50-14NO7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2
详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 72A 225W Chassis Mount E2
型号：
MKI50-06A7
仓库库存编号：
MKI50-06A7-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT50DH120TG
仓库库存编号：
APTGT50DH120TG-ND
规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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