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• IXYS
  RECT BRIDGE 100A 1200V FO-T-A
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 100A Chassis Mount FO-T-A
  
  型号：VUO100-12NO7
  仓库库存编号：VUO100-12NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM35T1G
  仓库库存编号：APTC60AM35T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60HM70T1G
  仓库库存编号：APTC60HM70T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 109A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 109A（Tc） 480W（Tc） SP1
  
  型号：APTML20UM18R010T1AG
  仓库库存编号：APTML20UM18R010T1AG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOD IGBT 1200V 75A SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTGT50DH120T3G
  仓库库存编号：APTGT50DH120T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 154A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 154A（Tc） 480W（Tc） SP1
  
  型号：APTML10UM09R004T1AG
  仓库库存编号：APTML10UM09R004T1AG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 66A 416W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC60AM42F2G
  仓库库存编号：APTC60AM42F2G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT75DA120TG
  仓库库存编号：APTGT75DA120TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 110A 357W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT75SK120TG
  仓库库存编号：APTGT75SK120TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1000V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-100
  仓库库存编号：M3P75A-100GN-ND
  别名：M3P75A-100GN
  M3P75A100
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-120
  仓库库存编号：M3P75A-120GN-ND
  别名：M3P75A-120GN
  M3P75A120
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1400V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-140
  仓库库存编号：M3P75A-140GN-ND
  别名：M3P75A-140GN
  M3P75A140
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-160
  仓库库存编号：M3P75A-160GN-ND
  别名：M3P75A-160GN
  M3P75A160
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE STD REC 800V 75A 3PH
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 75A Chassis Mount 5-SMD
  
  型号：M3P75A-80
  仓库库存编号：M3P75A-80GN-ND
  别名：M3P75A-80GN
  M3P75A80
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DDA10T3G
  仓库库存编号：APTM50DDA10T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50DSK10T3G
  仓库库存编号：APTM50DSK10T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT50A170T1G
  仓库库存编号：APTGT50A170T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOD IGBT H-BRIDGE 600V ECO-PAC2
  详细描述：IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 42.5A 130W Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VKI50-06P1
  仓库库存编号：VKI50-06P1-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 36A 250W Chassis Mount Module
  
  型号：APTC60HM83FT2G
  仓库库存编号：APTC60HM83FT2G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE 3PH 58A 1800V PWS-B
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1800V 58A Chassis Mount PWS-B
  
  型号：VUO55-18NO7
  仓库库存编号：VUO55-18NO7-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT75A120T1G
  仓库库存编号：APTGT75A120T1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTGT35H120T3G
  仓库库存编号：APTGT35H120T3G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
  详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC60AM83B1G
  仓库库存编号：APTC60AM83B1G-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50DA170TG
  仓库库存编号：APTGT50DA170TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 75A 312W SP4
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTGT50SK170TG
  仓库库存编号：APTGT50SK170TG-ND
  
  规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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